GaN-Transistoren erreichen Rekord-Effizienz von 77,3% bei 100 V

Forscher am Fraunhofer-Institut fĂŒr Angewandte Festkörperphysik IAF konnten die Ausgangsleistung ihrer GaN-basierten Hochfrequenztransistoren fĂŒr den Frequenzbereich von 1 bis 2 GHz erheblich steigern: Sie haben die Betriebsspannung der Bauelemente von 50 auf 100 V verdoppelt und damit einen Leistungswirkungsgrad von 77,3% erreicht.

Quelle: GaN-Transistoren erreichen Rekord-Effizienz von 77,3% bei 100 V